图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 LPT 80 A LPT 80 A |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 50mA |
| 电流 - 暗（ID）（最大值） | 50nA |
| 波长 | 850nm |
| 可视角度 | 70° |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 安装类型 | Through Hole |
| 取向 | Side View |
| 包/盒 | Radial |
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大暗电流 | 50 nA |
| 封装/外壳 | Side Looker |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 150 mV |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 类型 | IR Chip |
| 零件号别名 | Q68000A7852 |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 50nA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 定位 | Side View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 70° |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 波长 | 850nm |
| 封装/外壳 | Radial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 产品 | Phototransistors |
| 最大通态集电极电流 | 50 mA |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 10 us |
| 下降时间 | 10 us |
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